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供应 DS1220AB DALLAS ssop 原装正品
删除信息打印此文 发布时间:2019/3/22 18:00:16 | 人查看
信息类型:供应


特点:

在10年来最低的数据保留没有外部电源的


数据电源时自动保护损失


直接取代2K ×8易失静态RAM或EEPROM


没有写次数限制


低功耗CMOS


JEDEC标准的24引脚DIP封装


读取和写入的100 ns的访问时间


锂能源电断开,维持保鲜状态功耗施加首次


±10 %VCC工作范围( DS1220AD )


可选的± 5 %VCC工作范围(DS1220AB)


可选的工业级温度范围-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND







描述:
该DS1220AB和DS1220AD 16K非易失性SRAM是16,384位,全静态非易失SRAM的由8位, 2048字。
每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路连续监视VCC对于超出容限。
当这样的条件发生时,锂电池便自动接通,写保护将无条件使能,防止数据被破坏。
该NV SRAM可以替代现有的2K ×8的SRAM的使用直接符合流行的单字节宽, 24引脚DIP标准。该器件还符合的引脚排列在2716 EPROM和EEPROM 2816 ,可直接替换并增强其性能。
有上,能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制所需的微处理器接口



深圳市凌晔科技有限公司


联系人:陈小姐


TEL:13544017528


QQ:1113832696




供应  DS1220AB   DALLAS  ssop 原装正品
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Published at 2019/3/23 7:33:36, Powered By v1.0.0(MSSQL)