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Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度
发布时间:2019/3/12 9:20:11 | 在线投稿QQ:在线投稿

Diodes 公司产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。

 Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

DXTN07xxxxFG (NPN) 与 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工业级消费性市场为目标,范围涵盖 25V 至 100V VCEO;同时具备 2W 总功率消耗及最高 +175°C 额定作业温度。新款晶体管外壳采用小型 PowerDI®3333 表面黏着封装,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm,占用 PCB 的空间比传统 SOT223 少 70%,以散热效率更高的封装提供类似的功率消耗。

PowerDI3333 封装具有可润湿侧翼 (wettable flank),可提高 PCB 传输速率,促进焊接点的高速自动光学检查 (AOI),因此无需使用 X 光检查。

全系列 DXTN07xxxxFG 与 DXTP07xxxxFG 装置将于 2019 年第 1 季底通过汽车认证后,开始供应样品。

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作者:佚名 来源:本站收集 编辑:admin打印此文】【加入收藏】【字体:
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Published at 2019/3/25 4:39:31, Powered By v1.0.0(MSSQL)